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厂商型号

2SC5551AE-TD-E 

产品描述

Trans GP BJT NPN 30V 0.3A 4-Pin(3+Tab) PCP

内部编号

277-2SC5551AE-TD-E

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:132
1+¥7.1112
10+¥5.7437
100+¥4.4103
500+¥3.8975
1000+¥3.077
2000+¥2.7282
10000+¥2.6188
25000+¥2.4547
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:1000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:1000
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
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2SC5551AE-TD-E产品详细规格

规格书 2SC5551AE-TD-E datasheet 规格书
2SC5551A
2SC5551AE-TD-E datasheet 规格书
标准包装 1,000
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
频率转换 3.5GHz
噪声系数 (dB Typ @ f) -
增益 -
功率 - 最大 1.3W
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 90 @ 50mA, 5V
集电极电流(Ic)(最大) 300mA
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-243AA
供应商器件封装 PCP
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4PCP
类型 NPN
引脚数 4
最大集电极发射极电压 30 V
集电极最大直流电流 0.3 A
最小直流电流增益 90@50mA@5V
最大工作频率 3500(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.3@5mA@50mA V
最大集电极基极电压 40 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1300 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.3
最低工作温度 -55
Maximum Transition Frequency 3500(Typ)
包装宽度 2.5
PCB 3
最大功率耗散 1300
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 40
最大集电极发射极电压 30
供应商封装形式 PCP
最高工作温度 150
包装长度 4.5
包装高度 1.5
最大基地发射极电压 2
标签 Tab
铅形状 Flat
电流 - 集电极( Ic)(最大) 300mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 3.5GHz
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 PCP
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 1.3W
封装/外壳 TO-243AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 90 @ 50mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
RoHS RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 2 V
增益带宽产品fT 3.5 GHz
直流电流增益hFE最大值 270
晶体管极性 NPN
系列 2SC5551A
品牌 ON Semiconductor
集电极 - 发射极饱和电压 0.3 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 40 V
Pd - Power Dissipation 1.3 W
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
连续集电极电流 300 mA

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